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SK海力士將量產128層4D閃存NAND閃存芯片

發表時間:2019-07-06 14:17

SK海力士宣布,公司已經在全世界率先成功研發出128層4D Nand閃存芯片,將從今年下半年開始投入量產。

據SK hynix透露,該產品是業界最尖端的128屋堆棧4DNAND,適用超均一垂直植入技術、高信賴多屋薄膜構成技術、超高速低電力線路設計等技術。同時,該產品也是用TLC存儲方式打造的NAND中,首次達到1TB容量的產品。

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SK海力士計劃從今年下半年開始銷售該產品,并推出利用該產品的解決方案產品。首先,SK海力士計劃在明年上半年開發下一代移動通信用存儲裝置UFS 3.1閃存卡產品,供應給主要智能手機客戶公司。

此外,SK海力士還精于明年上半年推出普通消費者使用的內置自主控制器和軟件2TB容量SSD,用于數據中心的16TB和32TB NVMe SSD也將于明年之內推出。該產品實現業界最多層堆棧、最高容量,將及時提供各種解決方案。

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而就在8個月前,該公司宣布了96屋4D NAND芯片。

這款128屋的1Tb NAND閃存芯片實現了業界最高的垂直堆疊,擁有3600多億個NAND單元,每個單元在一個芯片上存儲3位。為了實現此工藝,SK海力士在自家的4D NAND技術上應用了大量創新技術,包括“超均勻垂直蝕刻技術”、“高可靠性多屋薄膜細胞形成技術”和超快速低功耗電路設計等。

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許多存儲卡公司已經開發了1Tb QLC NAND產品,但SK海力士是第一個將1Tb TLC NAND商業化的。

在相同的4D平臺和工藝優化下,SK海力士在現有96屋NAND的基礎上又增加了32層,使制造工藝總數減少了5%。與以往技術遷移相比,96層向128層NAND過渡的投資成本降低了60%,大大提高了投資效率。

由于該產品采用單芯片四平面架構,數據傳輸速率在1.2V時可以達到1400mbps,可以支持高性能、低功耗的移動存儲卡解決方案以及企業SSD。

海力士也將為客戶提供一個能在1毫米薄的封裝中,功耗降低20%的移動解決方案。

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